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水口 佳一

氏　名水口 佳一（ミズグチ ヨシカズ）みずぐち よしかず 
職　位准教授
所　属東京都立大学理学部 物理学科
理学研究科 物理学専攻
2018年再編前の所属
都市教養学部 理工学系 物理学コース
理工学研究科 物理学専攻
 
専門・研究分野超伝導，機能性材料
最終学歴・学位2010年7月　筑波大学　数理物質科学研究科　物質材料工学専攻　博士課程修了，　博士（工学）
研究テーマ新奇超伝導物質の探索と物性評価
熱電変換材料などの新機能性材料の開発
新物質の結晶構造解析
BiS2系超伝導体・熱電材料
ネマティック超伝導
高エントロピー合金型化合物
研究キーワード物性実験，超伝導，新超伝導体，物質探索，熱電変換材料，結晶構造解析，物性測定
研究業績・著書・
論文、その他
それに準じる業績		[主要論文]

Y. Mizuguchi et al., “Superconductivity at 27K in tetragonal FeSe under high pressure”, Appl. Phys. Lett. 93, 152505(1-3) (2008).

Y. Mizuguchi et al., “Superconductivity in S-substituted FeTe”, Appl. Phys. Lett. 94, 012503(1-3) (2009).

Y. Mizuguchi et al., “Anion height dependence of Tc for the Fe-based superconductor”, Supercond. Sci. Technol. 23, 054013(1-5) (2010).

Y. Mizuguchi et al., “Superconductivity in novel BiS2-based layered superconductor LaO1-xFxBiS2”, J. Phys. Soc. Jpn. 81, 114725(1-5) (2012).

Y. Mizuguchi et al., “BiS2-based layered superconductor Bi4O4S3”, Phys. Rev. B 86, 220510(1-5) (2012).

Y. Mizuguchi et al., “Enhancement of thermoelectric properties by Se substitution in layered bismuth-chalcogenide LaOBiS2-xSex”, J. Appl. Phys. 116, 163915(1-4) (2014).

Y. Mizuguchi et al., “In-plane chemical pressure essential for superconductivity in BiCh2-based (Ch: S, Se) layered structure”, Sci. Rep. 5, 14968(1-8) (2015).

Y. Mizuguchi et al., “High-Pressure Synthesis and Superconductivity of Ag-Doped Topological Crystalline Insulator SnTe (Sn1-xAgxTe with x = 0－0.5)”, J. Phys. Soc. Jpn. 85, 053702(1-5) (2016).

Y. Goto, A. Yamada, T. D. Matsuda, Y. Aoki, Y. Mizuguchi, “SnAs-based layered superconductor NaSn2As2”, J. Phys. Soc. Jpn. 86, 123701 (2017).

Y. Mizuguchi et al., “Evolution of Anisotropic Displacement Parameters and Superconductivity with Chemical Pressure in BiS2-Based REO0.5F0.5BiS2 (RE = La, Ce, Pr, and Nd)”, J. Phys. Soc. Jpn. 87, 023704 (2018).

R. Sogabe, Y. Goto, Y. Mizuguchi, “Superconductivity in REO0.5F0.5BiS2 with high-entropyalloy-type blocking layers”, Appl. Phys. Express 11, 053102 (2018).

K. Hoshi, Y. Goto, Y. Mizuguchi, “Selenium isotope effect in layered bismuth chalcogenide superconductor LaO0.6F0.4Bi(S,Se)2”, Phys. Rev. B 97, 094509 (2018).

K. Hoshi, M. Kimata, Y. Goto, T. D. Matsuda, Y. Mizuguchi, “Two-Fold-Symmetric Magnetoresistance in Single Crystals of Tetragonal BiCh2-Based Superconductor LaO0.5F0.5BiSSe”, J. Phys. Soc. Jpn. 88, 033704 (2019).

R. Jha, Y. Goto, T. D. Matsuda, Y. Aoki, M. Nagao, I. Tanaka, Y. Mizuguchi, “Bulk superconductivity in a four-layer-type Bi-based compound La2O2Bi3Ag0.6Sn0.4S5.7Se0.3”, Sci. Rep. 9, 13346 (2019).

Y. Mizuguchi, “Superconductivity in High-Entropy-Alloy Telluride AgInSnPbBiTe5”, J. Phys. Soc. Jpn. 88, 124708 (2019).

最新の情報は研究室ＨＰをご覧ください．
受　賞・第13回凝縮系科学賞

・平成30年度　文部科学大臣表彰　若手科学者賞

・Highly Cited Researchers 2017（Clarivate Analytics）

・第22回論文賞（日本物理学会）
Superconductivity in novel BiS2-based layered superconductor LaO1-xFxBiS2”, J. Phys. Soc. Jpn. 81, 114725(1-5) (2012).

・Outstanding Reviewer Award 2016 (Supercond. Sci. Technol.), 2017年1月

・JPSJ 2015 Highly Cited Article for J. Phys. Soc. Jpn. 83, 053704 (2014)
“Stabilization of High-Tc Phase of BiS2-Based Superconductor LaO0.5F0.5BiS2 Using High-Pressure Synthesis”, 2016年4月

・第12回日本熱電学会講演奨励賞
「新しい層状ビスマスカルコゲナイドの熱電特性」, 2015年9月

・第28回安藤博記念学術奨励賞
　「超伝導および熱電変換分野における新奇層状化合物の創出と物性解明」，2015年7月

・第19回超伝導科学技術賞
「新しいBiS2系層状超伝導体の発見」，2015年4月

・JPSJ 2013 Highly Cited Article for J. Phys. Soc. Jpn. 81, 114725 (2012)
“Superconductivity in novel BiS2-based layered superconductor LaO1-xFxBiS2”，2014年4月

・筑波大学大学院数理物質科学研究科　研究科長賞
数理物質科学研究科，物質・材料工学専攻（3年制博士課程），2011年3月
主な学会活動日本物理学会，American Physical Society，化合物新磁性材料専門研究会（会計幹事2017年〜）
社会等との関わりScientific Reports : editorial board
Condensed Mater : editorial board
ＯＵ講義（2018年度，2019年度）
大学祭公開講義（2019年度）
東京都ふしぎ祭エンスにて超伝導デモ（2018年度，2019年度, 2020年度は中止）
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