M.Suhara， N.Asaoka， M.Fukumitusu， H.Horie， and T.Okumura， ”Effect of Mesa Formation Processes on GaInP/GaAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diodes”， Joint International Meeting 206th Meeting of the Electrochemical Society (ECS) and 2004 Fall meeting of the Electrochemical Society of Japan (ECSJ)， Hawaii Materials Masakazu Fukumitsu， Hajime Horie， Naoya Asaoka， Michihiko Suhara， Tsugunori Okumura， ”Characterization of GaInP/GaAs triple barrier resonant tunneling diodes fabricated by fast atom beam etching process”， 2004年9月 Extended abstract of the 2004 International Conference on Solid State Devices and a Naoya Asaoka， Masakazu Fukumitsu， Michihiko Suhara， and Tsugunori Okumura， ”Nonlinear Variable Capacitance Characteristics in GaInP/GaAs Triple Barrier Resonant Tunneling Diodes”， 2004年9月 The 31st international Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2004)

応用物理学会，電子情報通信学会，IEEE

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