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斉藤 光史

氏 名斉藤 光史サイトウ ミツフミさいとう みつふみ
職 位助教
所 属首都大学東京都市教養学部 理工学系 電気電子工学コース
理工学研究科 電気電子工学専攻
 
専門・研究分野半導体デバイス
ナローギャップ半導体
ヘテロエピタキシャル結晶成長
最終学歴・学位富山大学理工学研究科 博士後期課程 物質科学専攻
研究テーマInSb/Siヘテロエピタキシャル成長
InSb FETデバイスの開発
研究キーワードヘテロエピタキシャル成長, ナローギャップ半導体デバイス, Si, InSb, MBE
研究業績・著書・
論文、その他
それに準じる業績
受 賞
主な学会活動
社会等との関わり
個人のURL
担当科目
  • 電気電子工学応用実験
  • 電気電子工学プロジェクト
オフィスアワー
研究室9号館390a号室
内線番号内線4345
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